
DIT100N10 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 4878-DIT100N10-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DIT100N10 |
Beschreibung | MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM |
Standardlieferzeit des Herstellers | 9 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | DIT100N10 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 13mOhm bei 40A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 85 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4800 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,07000 € | 2,07 € |
| 50 | 1,01060 € | 50,53 € |
| 100 | 0,90750 € | 90,75 € |
| 500 | 0,72662 € | 363,31 € |
| 1.000 | 0,66847 € | 668,47 € |
| 2.000 | 0,61957 € | 1.239,14 € |
| 5.000 | 0,58181 € | 2.909,05 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,07000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,50470 € |

