Name: IPI60R125CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI60R125CPXKSA1-ND
Price: 6.534 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPI60R125CPXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPI60R125CPXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPI60R125CPXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPI60R125CPXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1,1mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2500 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO262-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPI60R125
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 16A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
STI33N60M2	STMicroelectronics	0	497-15016-5-ND	1,37991 €	Ähnlich
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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	5,40000 €	5,40 €
50	2,85020 €	142,51 €
100	2,60390 €	260,39 €
500	2,17256 €	1.086,28 €
1.000	2,03411 €	2.034,11 €
2.000	1,95998 €	3.919,96 €

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