N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
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N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP60SL115DR

DigiKey-Teilenr.
5048-XP60SL115DR-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
XP60SL115DR
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
115mOhm bei 9,6A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
145 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5120 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 178W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,79000 €3,79 €
501,94960 €97,48 €
1001,77140 €177,14 €
5001,64422 €822,11 €
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