Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 6.8244 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMT65R060M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R060M2HXUMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 41,4A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMT65R060M2HXUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 55mOhm bei 15,4A, 20V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 3,1mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 669 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 41,4A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN