Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 4.7311 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGC025S08S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGC025S08S1XTMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-6-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGC025S08S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5mOhm bei 25A, 5V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2.9V @ 10mA
Serie CoolGaN™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±6,5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23A (Ta), 86A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-6-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V	Gehäuse / Hülle 6-PowerTDFN