Name: IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND
Price: 4.7311 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGC037S12S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGC037S12S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGC037S12S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGC037S12S1XTMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 19 A (Ta), 71 A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-6-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGC037S12S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,7mOhm bei 18A, 5V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,9V bei 7mA
Serie CoolGaN™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±6,5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000 pF @ 60 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 19 A (Ta), 71 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-6-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V	Gehäuse / Hülle 6-PowerTDFN