Name: BSC060P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC060P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 1.6093 EUR
Availability: InStock

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BSC060P03NS3EGATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC060P03NS3EGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC060P03NS3EGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC060P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC060P03NS3EGATMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 17,7 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC060P03NS3EGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,1V bei 150µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 81 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6020 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17,7 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer BSC060
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6mOhm bei 50A, 10V