Name: FDMS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS6673BZTR-ND
Price: 2.3474 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDMS6673BZ
DigiKey-Teilenr.	FDMS6673BZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMS6673BZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMS6673BZ
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 15,2 A (Ta), 28 A (Tc) 2,5W (Ta), 73W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,2 A (Ta), 28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,8mOhm bei 15,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5915 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 73W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	FDMS6673