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AOT66616L | |
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DigiKey-Teilenr. | 785-1825-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOT66616L |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 38,5A (Ta), 140A (Tc) 8,3W (Ta), 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2870 pF @ 30 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 8,3W (Ta), 125W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,2mOhm bei 20A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP030N06B-F102 | onsemi | 368 | FDP030N06B-F102-ND | 2,73000 € | Ähnlich |
| IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | 18 | 448-IPP029N06NAKSA1-ND | 3,04000 € | Ähnlich |
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 512 | IPP034NE7N3GXKSA1-ND | 3,97000 € | Ähnlich |
| IRFB3206GPBF | Rochester Electronics, LLC | 1.495 | 2156-IRFB3206GPBF-ND | 1,38535 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1.000 | 1,27634 € | 1.276,34 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,27634 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,54437 € |




