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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 2.033
Stückpreis : 2,74000 €
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Vorrätig: 599
Stückpreis : 3,06000 €
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Vorrätig: 664
Stückpreis : 4,66000 €
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Vorrätig: 484
Stückpreis : 3,98000 €
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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 183
Stückpreis : 2,76000 €
Datenblatt
N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB3206GPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFB3206GPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB3206GPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 150µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
170 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6540 pF @ 50 V
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3mOhm bei 75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRFB3206PBFInfineon Technologies2.033448-IRFB3206PBF-ND2,74000 €Direkter Ersatz
AOT266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.599785-1415-5-ND3,06000 ۀhnlich
DMTH6004SCTDiodes Incorporated0DMTH6004SCTDI-5-ND1,12440 ۀhnlich
FDP030N06onsemi664FDP030N06-ND4,66000 ۀhnlich
FDP038AN06A0onsemi484FDP038AN06A0-ND3,98000 ۀhnlich
Letzte Kaufgelegenheit
Marktplatzoptionen: 1.495 Anzeigen
Verfügbar bis: 31.05.2026
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1.0001,29196 €1.291,96 €
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