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Bi-Directional ESD Diode in DFN1006-2LW for LIN Bus Protection
Datum der Veröffentlichung: 2026-05-07
The Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 is an automotive bi-directional ESD protection diode designed for a single LIN bus signal line in vehicle electronics.
Die verlustarme 1200-V-Diodenfamilie von Taiwan Semiconductor unterstützt Hochstrombetrieb und thermische Zuverlässigkeit mit mehreren Gehäuseoptionen.
Hocheffizienter 1.200-V-Gleichrichter
Datum der Veröffentlichung: 2026-04-03
Die hocheffizienten 1.200-V-Gleichrichter von Taiwan Semiconductor werden in branchenüblichen Gehäusen angeboten.
Die bidirektionale ESD-Diode TESDA24VB6P02CX von Taiwan Semiconductor schützt Hochgeschwindigkeits-CAN-FD-Kommunikationsschnittstellen in Automobil- und Industriesystemen.
Der 600-W-Überspannungsbegrenzer SMA6SxxCAH von Taiwan Semiconductor mit Automobiltechnikzulassung im SOD-128-Gehäuse ermöglicht platzsparenden Überspannungsschutz mit uni- und bidirektionalen Optionen.
Die Schottky-Trench-Gleichrichter-Familie von Taiwan Semiconductor für die Automobiltechnik unterstützt zuverlässige Designs mit 45 V bis 120 V sowie den Hochtemperaturbetrieb bei bis zu +175 °C.
Die uni- und bidirektionalen 5-kW-Überspannungsbegrenzer von Taiwan Semiconductor sind für den Schutz von Stromversorgungssystemen in Automobiltechnik und Industrie vor Spannungstransienten konzipiert.
Die 600-V-Super-Junction-MOSFETs der 4. Generation von Taiwan Semiconductor in TOLL- und PDFN88-Gehäusen zeichnen sich durch eine hohe Gate-Störfestigkeit aus.
Die oberflächenmontierbare 24-V-SUPER-CLAMP™-TVS-Diode von Taiwan Semiconductor bietet einen hervorragenden Schutz mit extrem niedriger Klemmspannung und verbesserter Überspannungsfestigkeit.
Die 1200-V-SiC-Schottky-Dioden von Taiwan Semiconductor mit großer Bandlücke bieten eine robuste Funktion in kompakten Designs.
600-V-Gleichrichter mit geringem Verlust in SMD- und Brückenbauweise
Datum der Veröffentlichung: 2025-07-30
Die verlustarme 600-V-Gleichrichtung von Taiwan Semiconductor wurde für Leistungselektroniksysteme wie Serverstromversorgung, Telekommunikationsstromversorgung und Ladesysteme entwickelt.
Bidirektionale ESD-Schutzdioden TESDA24VB17P1Q1/TESDA24VB17P1M3 für die Automobilindustrie
Datum der Veröffentlichung: 2025-07-30
Die ESD-Schutzdioden TESDA24VB17P1Q1/TESDA24VB17P1M3 von Taiwan Semiconductor für die Automobilindustrie sind zum Schutz einer Leitung vor ESD-Blitzimpulsen im System ausgelegt.
SUPER-CLAMP™-TVS-Dioden LTD7S24CAH für die Oberflächenmontage
Datum der Veröffentlichung: 2025-03-10
SUPER-CLAMP™-TVS-Dioden von Taiwan Semiconductor haben ein optimiertes Klemmenverhältnis zwischen der vorgesehenen Durchbruchspannung und der Klemmspannung.
SUPER CLAMP series TVS diodes with snapback characteristics features a superior optimized clamping ratio between the designated breakdown voltage and clamping voltage. And a wide operation range of -55°C to 175°C meeting the automotive applications.
With meticulous care and attention to detail, we deliver exceptional product quality and service. Our connection goes beyond electrical interconnectivity; it represents our commitment to empowering our customers by linking the world together.
600-V-Erweiterung für FRED-Produkte
Datum der Veröffentlichung: 2025-02-18
Die 600-V-FRED-Produkterweiterung von Taiwan Semi bietet verschiedene Schaltgeschwindigkeiten in ihrem ThinDPAK-Gehäuse.
600-V-FRED-Erweiterung für Automobilanwendungen
Datum der Veröffentlichung: 2025-02-18
Die 600-V-FRED-Erweiterung von Taiwan Semiconductor für Automobilanwendungen zeichnet sich durch Planartechnologie aus und ist AEC-Q101-qualifiziert.
100-V- und 120-V-Trench-Schottky-Gleichrichter für die Oberflächenmontage
Datum der Veröffentlichung: 2024-08-09
Die oberflächenmontierbaren Trench-Schottky-Gleichrichter von Taiwan Semiconductor zeichnen sich durch eine hohe Sperrschichttemperatur aus.
650-V-SiC-Schottky-Sperrschichtdioden mit großer Bandlücke
Datum der Veröffentlichung: 2024-08-07
Die 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Sperrschichtdioden von Taiwan Semiconductor sind für hocheffiziente AC/DC-, DC/DC- und DC/AC-Wandlungsanwendungen geeignet.
600-V-Super-Sperrschicht-MOSFETs der 4. Generation
Datum der Veröffentlichung: 2024-08-06
Mit den MOSFETs der 4. Generation der Serie NE von Taiwan Semiconductor können die Anwender kleinere, schnellere und effizientere Systeme bauen.
