Taiwan Semiconductor

600-V-Super-Sperrschicht-MOSFETs der 4. Generation

Die MOSFETs der Serie NE von Taiwan Semiconductor ermöglichen es Anwendern, kleinere, schnellere und effizientere Systeme zu bauen

Abbildung: MOSFETs der 4. Generation von Taiwan SemiconductorDie 4. Generation der 600-V-Super-Sperrschicht-MOSFETs der Serie NE von Taiwan Semiconductor wurde entwickelt, um den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte in Hochspannungsanwendungen zu verbessern. Die neueste Technologie der Super-Junction-MOSFETs der Serie NE ermöglicht einen außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstand (RON) und eine niedrige Gate-Kapazität (Qg). Das Erreichen von 30 % Gütefaktor (FOM), RON, Qg und die Verbesserung führt zu einem höheren Wert in vielen HV-Anwendungen im Vergleich zu alternativen Optionen. Diese Super-Sperrschicht-MOSFETs ermöglichen es den Anwendern, kleinere, schnellere und effizientere Systeme zu bauen.

Merkmale/Funktionen
  • Super-Junction-Technologie der 4. Generation
  • Qg-Kapazität
  • Hervorragende Schaltperformance
  • Hohe Gate-Rauschimmunität
Anwendungen/Zielmärkte
  • Offline-Schaltleistungswandlung
  • Server-Stromversorgungen
  • HV-Motorantriebe
  • USV-Systeme
  • Beleuchtungsregler

4th Generation 600 V Super Junction MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFETTSM60NE285CP ROGMOSFET4975 - Sofort$3.20Details anzeigen
MOSFETTSM60NE285CH C5GMOSFET3641 - Sofort$2.72Details anzeigen
MOSFETTSM60NE285CIT C0GMOSFET2000 - Sofort$3.52Details anzeigen
MOSFETTSM60NE200CIT C0GMOSFET2000 - Sofort$3.53Details anzeigen
600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGHTSM60NE180CIT C0G600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH2000 - Sofort$3.89Details anzeigen
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600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGHTSM60NE069CIT C0G600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH1991 - Sofort$9.30Details anzeigen
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Veröffentlicht: 2024-08-06