VideoLibrary

Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

SiliconCarbide (SiC) technology provides higher efficiencies and superior thermal performance, resulting in lighter, smaller, and cost-optimized charging systems that deliver 400 kilowatts and beyond.

5/21/2024 7:02:19 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A29 - Sofort$108.37Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIMNXH003P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM33 - Sofort
180 - Lagerbestand des Herstellers		$177.76Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIMNXH004P120M3F2PTHGMOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM15 - Sofort$152.56Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIMNXH003P120M3F2PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM130 - Sofort
80 - Lagerbestand des Herstellers		$191.13Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIMNXH011T120M3F2PTHGMOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM4 - Sofort
14420 - Lagerbestand des Herstellers		$96.77Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 900V 149ANXH020U90MNF2PTGMOSFET 2N-CH 900V 149A1 - Sofort$141.85Details anzeigen
MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39NVXR22S90M2SPCMOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC397 - Sofort$1,090.75Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 30A28 - Sofort
84 - Lagerbestand des Herstellers		$62.42Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 30ANXH040P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 30A26 - Sofort
56 - Lagerbestand des Herstellers		$62.42Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM25 - Sofort
28 - Lagerbestand des Herstellers		$79.20Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Sofort
112 - Lagerbestand des Herstellers		$104.63Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 51ANXH020P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 51A28 - Sofort$104.63Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIMNXH040F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM26 - Sofort
28 - Lagerbestand des Herstellers		$78.00Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Sofort$94.84Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Sofort
28 - Lagerbestand des Herstellers		$107.35Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTGMOSFET 2N-CH 1200V 114A28 - Sofort
140 - Lagerbestand des Herstellers		$107.35Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 114ANXH010P120MNF1PTNGMOSFET 2N-CH 1200V 114A25 - Sofort
1148 - Lagerbestand des Herstellers		$103.00Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM22 - Sofort
28 - Lagerbestand des Herstellers		$111.22Details anzeigen
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIMNXH020F120MNF1PTGMOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM28 - Sofort
2632 - Lagerbestand des Herstellers		$133.93Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 900V 154ANXH010P90MNF1PTGMOSFET 2N-CH 900V 154A28 - Sofort
112 - Lagerbestand des Herstellers		$116.53Details anzeigen

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.