VideoLibrary

Utilizing Wide Bandgap in Server and Industrial Power Applications

Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) are the next generation materials for high performance power conversion and motor control. These Wide Band Gap (WBG) materials will power future applications for high performance.

11/1/2019 3:38:09 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263FFSB0665BDIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263480 - Sofort
8800 - Lagerbestand des Herstellers		$2.80Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 10.1A TO263FFSB0865BDIODE SIL CARB 650V 10.1A TO263765 - Sofort
5600 - Lagerbestand des Herstellers		$3.04Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1200V 21A TO263FFSB10120A-F085DIODE SIL CARB 1200V 21A TO263900 - Sofort
7200 - Lagerbestand des Herstellers		$7.86Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAKFFSB1065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK1345 - Sofort
2400 - Lagerbestand des Herstellers		$4.19Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263FFSB20120A-F085DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263620 - Sofort$13.19Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263FFSB2065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263494 - Sofort$6.95Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAKFFSB3065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK1311 - Sofort$7.84Details anzeigen
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA5023 - Sofort$6.10Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AAFFSD10120ADIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA5000 - Sofort$6.51Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAKFFSD1065ADIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK6276 - Sofort
157500 - Lagerbestand des Herstellers		$4.17Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252FFSD1065B-F085DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252172 - Sofort$3.85Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472FFSH20120ADIODE SIL CARB 1200V 30A TO24720 - Sofort$5.92Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFNFFSM0665ADIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN2797 - Sofort$4.03Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFNFFSM1265ADIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN2464 - Sofort$4.26Details anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 1200V TO220LFFSP05120ADIODE SIL CARBIDE 1200V TO220L0 - Sofort$2.18Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220LFFSP08120ADIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L790 - Sofort
800 - Lagerbestand des Herstellers		$6.52Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220LFFSP10120ADIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L649 - Sofort$6.93Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220LFFSP15120ADIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L700 - Sofort
1600 - Lagerbestand des Herstellers		$7.10Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220LFFSP20120ADIODE SIL CARB 1200V 20A TO220L448 - Sofort
800 - Lagerbestand des Herstellers		$10.79Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2LFFSP3065ADIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L850 - Sofort$8.49Details anzeigen

Related Videos

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Datum der Veröffentlichung: 2024-05-21

Utilizing Wide Bandgap (WBG) in Solar & Renewable Energy Applications
Utilizing Wide Bandgap (WBG) in Solar & Renewable Energy Applications

Datum der Veröffentlichung: 2019-11-01

Overview of WBG and SiC Capabilities
Overview of WBG and SiC Capabilities

Datum der Veröffentlichung: 2019-11-01

Related Product Highlight

Breitlückige Halbleiter-Technologien onsemi bietet ein robustes Sortiment an hocheffizienten und intelligenten Leistungskomponenten, die ein vollständiges Ökosystem breitlückiger Halbleiter-Komponenten darstellen, einschließlich einer Vielzahl von SiC-Bauelementen zur Auswahl. Finden Sie die beste Lösung für Ihre Anwendung noch heute bei DigiKey!
IPM-Wechselrichter-Motorsteuerung Das Blockdiagramm der IPM-Wechselrichter-Motorsteuerungen von ON Semiconductor zeigt das größte Segment der Motorsteuerungen im mittleren Leistungsbereich, die aus dem Wechselstromnetz gespeist werden.
900-V-Siliziumcarbid(-(EliteSiC)-MOSFETs Die 900-V-Siliziumkarbid-(EliteSiC)-MOSFETs von onsemi verwenden eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.