N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 1,92W (Ta), 36,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220CFM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 1,92W (Ta), 36,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220CFM
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP60AN750IN

DigiKey-Teilenr.
5048-XP60AN750IN-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
XP60AN750IN
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 1,92W (Ta), 36,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220CFM
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
59.2 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2688 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
1,92W (Ta), 36,7W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220CFM
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
750mOhm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1.000
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,38000 €2,38 €
501,16920 €58,46 €
1001,05150 €105,15 €
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5.0000,66294 €3.314,70 €
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