N-Kanal 650 V 120 A (Tc) 416W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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C3M0015065D

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0015065D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0015065D
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 120 A (Tc) 416W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C3M0015065D Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 15,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
188 nC @ 15 V
Serie
Vgs (Max.)
+15V, -4V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5011 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
416W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
21mOhm bei 55,8A, 15V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
115,51000 €15,51 €
309,61100 €288,33 €
1208,31942 €998,33 €
5107,82971 €3.993,15 €
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