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W949D2DBJX5E TR
Winbond Electronics
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SDRAM - Mobil-LPDDR Speicher IC 512Mbit Parallel 200 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

W949D2DBJX5E

DigiKey-Teilenr.
W949D2DBJX5E-ND
Hersteller
Winbond Electronics
Hersteller-Teilenummer
W949D2DBJX5E
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - Mobil-LPDDR Speicher IC 512Mbit Parallel 200 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13)
Datenblatt
 Datenblatt
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W949D2DBJX5E Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Winbond Electronics
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Speichertyp
Flüchtig
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobil-LPDDR
Speichergröße
512Mbit
Speicherorganisation
16M x 32
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
5 ns
Spannung - Versorgung
1,7V bis 1,95V
Betriebstemperatur
-25°C bis 85°C (TC)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
90-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
90-VFBGA (8x13)
Basis-Produktnummer
W949D2
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