SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-WFBGA (10x14,5)
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W66AP6NBUAGJ

DigiKey-Teilenr.
256-W66AP6NBUAGJ-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
W66AP6NBUAGJ
Beschreibung
IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-WFBGA (10x14,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Taktfrequenz
1.867 GHz
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
18ns
Verpackung
Tablett
Zugriffszeit
3.6 ns
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Spannung - Versorgung
1,06V bis 1,17V, 1,7V bis 1,95V
Speichertyp
Flüchtig
Betriebstemperatur
-40°C bis 105°C (TC)
Speicherformat
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Gehäuse / Hülle
Speichergröße
Gehäusetyp vom Lieferanten
200-WFBGA (10x14,5)
Speicherorganisation
64M x 16
Basis-Produktnummer
Speicherschnittstelle
LVSTL_11
Umwelt- und Exportklassifikationen
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