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SUP50020E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SUP50020E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SUP50020E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 55 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,4mOhm bei 30A, 10V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 128 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 375W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP023N08B-F102 | onsemi | 148 | FDP023N08B-F102OS-ND | 4,16000 € | Ähnlich |
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 43 | TK100E06N1S1X-ND | 3,69000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,56000 € | 3,56 € |
| 50 | 1,81020 € | 90,51 € |
| 100 | 1,64050 € | 164,05 € |
| 500 | 1,34320 € | 671,60 € |
| 1.000 | 1,24771 € | 1.247,71 € |
| 2.000 | 1,16746 € | 2.334,92 € |
| 5.000 | 1,11868 € | 5.593,40 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,56000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,30760 € |



