Name: SQJQ910EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND
Price: 3.7147 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJQ910EL-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJQ910EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJQ910EL-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 70 A (Tc) 187W Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJQ910EL-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 58nC bei 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2832pF bei 50V
Serie TrenchFET®	Leistung - Max. 187W
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 8 x 8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8 Dual
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,6mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer SQJQ910
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA