Name: SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND
Price: 4.4165 EUR
Availability: InStock

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SQJQ410EL-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJQ410EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJQ410EL-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 135 A (Tc) 136W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJQ410EL-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 150 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7350 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 135 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 8 x 8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,4mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer SQJQ410
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA