
SQJB80EP-T1_GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SQJB80EP-T1_GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 37 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 80V 30 A (Tc) 48W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SQJB80EP-T1_GE3 Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32nC bei 10V |
Hersteller Vishay Siliconix | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400pF bei 25V |
Serie | Leistung - Max. 48W |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Status der Komponente Aktiv | Klasse Automobiltechnik |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Qualifizierung AEC-Q101 |
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V | Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc) | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 19mOhm bei 8A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,70000 € | 1,70 € |
| 10 | 1,07900 € | 10,79 € |
| 100 | 0,72620 € | 72,62 € |
| 500 | 0,57478 € | 287,39 € |
| 1.000 | 0,52605 € | 526,05 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,46419 € | 1.392,57 € |
| 6.000 | 0,43307 € | 2.598,42 € |
| 9.000 | 0,41722 € | 3.754,98 € |
| 15.000 | 0,40426 € | 6.063,90 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,70000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,05700 € |











