Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.0933 EUR
Availability: InStock

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SQJ262EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ262EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 15 A (Tc), 40 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ262EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10nC bei 10V, 23nC bei 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 550pF bei 25V, 1260pF bei 25V
Serie TrenchFET®	Leistung - Max. 27W (Tc), 48W (Tc)
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15 A (Tc), 40 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual and asymmetrisch
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 35,5mOhm bei 2A, 10V, 15,5mOhm bei 5A, 10V	Basis-Produktnummer SQJ262
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Standardverpackung des Herstellers

Stückpreis ohne MwSt.:	1,73000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,09330 €

SQJ262EP-T1_GE3