Name: SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ211ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.3595 EUR
Availability: InStock

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SQJ211ELP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJ211ELP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJ211ELP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJ211ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ211ELP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 33,6A (Tc) 68W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ211ELP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs (Max.) ±20V
Herst. Vishay Siliconix	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3800 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33,6A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 30mOhm bei 8A, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA	Basis-Produktnummer SQJ211
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 68 nC @ 10 V