SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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P-Kanal 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)

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SQ2389ES-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQ2389ES-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQ2389ES-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQ2389ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2389ES-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 420 pF @ 20 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
Status der Komponente Bei DigiKey nicht mehr erhältlich	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,1 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 94mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer SQ2389
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

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