Name: SQ2362CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2362CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.7018 EUR
Availability: OutOfStock

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SQ2362CES-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQ2362CES-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQ2362CES-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQ2362CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2362CES-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 4,3 A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 550 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,3 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 68mOhm bei 2,4A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)