Name: SIZF906DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.3111 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZF906DT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZF906DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZF906DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZF906DT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 60 A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Oberflächenmontage 8-PowerPair® (6x5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,8mOhm bei 15A, 10V, 1,17mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22nC bei 4,5V, 92nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2000pF bei 15V, 8200pF bei 15V
Leistung - Max.	38W (Tc), 83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TA)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PowerPair® (6x5)
Basis-Produktnummer	SIZF906