Name: SISS67DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS67DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.0449 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS67DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISS67DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISS67DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISS67DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS67DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 60 A (Tc) 65,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 111 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4380 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 65,8W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8S
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8S
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISS67
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,5mOhm bei 15A, 10V