Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8755 EUR
Availability: InStock

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SISS61DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS61DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS61DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 900mV bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 231 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8740 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8S
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30,9A (Ta), 111,9A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8S
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Basis-Produktnummer SISS61
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5mOhm bei 15A, 4,5V