Name: SISH112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2385 EUR
Availability: InStock

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SISH112DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISH112DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISH112DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISH112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISH112DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 11,3 A (Tc) 1,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SH
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2610 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,5W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -50°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SH
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SH
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISH112
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,5mOhm bei 17,8A, 10V

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Standardverpackung des Herstellers

Stückpreis ohne MwSt.:	1,85000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,23850 €

SISH112DN-T1-GE3