Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.4926 EUR
Availability: OutOfStock

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SISF20DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISF20DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Hersteller Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33nC bei 10V
Serie TrenchFET® Gen IV	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1290pF bei 30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 14 A (Ta), 52 A (Tc)	Basis-Produktnummer SISF20
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13mOhm bei 7A, 10V

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
3.000	0,59289 €	1.778,67 €
6.000	0,58123 €	3.487,38 €

Standardverpackung des Herstellers

Stückpreis ohne MwSt.:	2,06000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,49260 €

SISF20DN-T1-GE3