
SISF04DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SISF04DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 55 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SCD |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SISF04DN-T1-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA |
Hersteller Vishay Siliconix | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60nC bei 10V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2600pF bei 15V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Leistung - Max. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Konfiguration N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Drain | Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SCD |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SCD |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30A (Ta), 108A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 7A, 10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,84000 € | 1,84 € |
| 10 | 1,17300 € | 11,73 € |
| 100 | 0,79250 € | 79,25 € |
| 500 | 0,62970 € | 314,85 € |
| 1.000 | 0,57732 € | 577,32 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,51084 € | 1.532,52 € |
| 6.000 | 0,47740 € | 2.864,40 € |
| 9.000 | 0,46036 € | 4.143,24 € |
| 15.000 | 0,45247 € | 6.787,05 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,84000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,22640 € |











