Vom Hersteller empfohlen
Parametrisches Äquivalent
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SISA18DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SISA18DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SISA18DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 30 V 38,3 A (Tc) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) +20V, -16V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000 pF @ 15 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,5mOhm bei 10A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SISA18BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 5.895 | 742-SISA18BDN-T1-GE3CT-ND | 1,05000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 1.366 | SIS322DNT-T1-GE3CT-ND | 0,91000 € | Parametrisches Äquivalent |
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8.970 | SISA18ADN-T1-GE3CT-ND | 1,08000 € | Parametrisches Äquivalent |
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | 2.568 | 296-39997-1-ND | 0,86000 € | Ähnlich |
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | 3.976 | 296-38462-1-ND | 1,74000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,19562 € | 586,86 € |
| 6.000 | 0,19436 € | 1.166,16 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 0,19562 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 0,23670 € |






