Name: SIHP4N80E-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHP4N80E-BE3TR-ND
Price: 3.0976 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 800 V 4,3 A (Tc) 69W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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SIHP4N80E-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHP4N80E-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIHP4N80E-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP4N80E-BE3
Beschreibung	N-CHANNEL 600V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 4,3 A (Tc) 69W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,27Ohm bei 2A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie E	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 622 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,3 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3

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