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N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung
TO-220AB
TO-220AB

SIHP22N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP22N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP22N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (24)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.532785-1251-5-ND4,11000 ۀhnlich
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3.057785-1252-5-ND4,82000 ۀhnlich
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