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SIHP15N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP15N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP15N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP15N65E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 96 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1640 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 34W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 8A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP13N60N | onsemi | 0 | FCP13N60NFS-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| FCP16N60 | onsemi | 1.722 | FCP16N60-ND | 4,30000 € | Ähnlich |
| FCP260N65S3 | onsemi | 774 | FCP260N65S3-ND | 3,35000 € | Ähnlich |
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R280C6XKSA1-ND | 1,32302 € | Ähnlich |
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPP65R225C7XKSA1-ND | 2,82000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1.000 | 1,58370 € | 1.583,70 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,58370 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,91628 € |




