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Direkter Ersatz


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N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
TO-220AB

SIHP14N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP14N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP14N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
64 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1205 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
309mOhm bei 7A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP14N60E-BE3Vishay Siliconix868742-SIHP14N60E-BE3-ND2,63000 €Direkter Ersatz
FCP400N80Zonsemi777FCP400N80Z-ND4,04000 ۀhnlich
FCPF11N60Fonsemi948FCPF11N60F-ND4,12000 ۀhnlich
IXTP12N70X2MIXYS0238-IXTP12N70X2M-ND2,80143 ۀhnlich
STP18N65M2STMicroelectronics74497-15557-5-ND2,95000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,81000 €2,81 €
101,82500 €18,25 €
1001,26300 €126,30 €
5001,02306 €511,53 €
1.0000,94594 €945,94 €
2.0000,88112 €1.762,24 €
5.0000,81101 €4.055,05 €
10.0000,81059 €8.105,90 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,40010 €