SIHP12N65E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
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N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP12N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP12N65E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP12N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP12N65E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1224 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (11)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1510-5-ND0,00000 ۀhnlich
IPP60R380E6XKSA1Rochester Electronics, LLC12.0002156-IPP60R380E6XKSA1-ND1,30882 ۀhnlich
IPP60R385CPXKSA1Infineon Technologies0448-IPP60R385CPXKSA1-ND1,01144 ۀhnlich
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IXFP22N60P3IXYS219IXFP22N60P3-ND6,43000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,81000 €2,81 €
101,82800 €18,28 €
1001,26580 €126,58 €
5001,02530 €512,65 €
1.0000,94805 €948,05 €
2.0000,88312 €1.766,24 €
5.0000,81290 €4.064,50 €
10.0000,81272 €8.127,20 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,40010 €