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N-Kanal 600 V 23 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG23N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG23N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG23N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 23 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
95 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2418 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TA)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
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Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
158mOhm bei 12A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Standardverpackung des Herstellers
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