N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHFZ48S-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHFZ48S-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHFZ48S-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
85 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
3,7W (Ta), 190W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm bei 43A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,69000 €2,69 €
101,74100 €17,41 €
1001,20140 €120,14 €
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