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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHF640S-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHF640S-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHF640S-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 3,1W (Ta), 130W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,56000 € | 2,56 € |
| 10 | 1,65200 € | 16,52 € |
| 100 | 1,13750 € | 113,75 € |
| 500 | 0,91738 € | 458,69 € |
| 1.000 | 0,84664 € | 846,64 € |
| 2.000 | 0,78716 € | 1.574,32 € |
| 5.000 | 0,72284 € | 3.614,20 € |
| 10.000 | 0,71179 € | 7.117,90 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,56000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,09760 € |
