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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHD6N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHD6N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHD6N65E-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 820 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 78W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 3A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,12000 € | 2,12 € |
| 75 | 0,97053 € | 72,79 € |
| 150 | 0,87460 € | 131,19 € |
| 525 | 0,73817 € | 387,54 € |
| 1.050 | 0,67909 € | 713,04 € |
| 2.025 | 0,63182 € | 1.279,44 € |
| 5.025 | 0,57800 € | 2.904,45 € |
| 10.050 | 0,55243 € | 5.551,92 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,12000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,56520 € |
