Ähnlich
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SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB6N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB6N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 820 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 78W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 3A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA14N60P | IXYS | 90 | IXFA14N60P-ND | 6,08000 € | Ähnlich |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | 4,86327 € | Ähnlich |
| STB11NM60T4 | STMicroelectronics | 1.444 | 497-6545-1-ND | 4,81000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,41000 € | 2,41 € |
| 10 | 1,55800 € | 15,58 € |
| 100 | 1,06880 € | 106,88 € |
| 500 | 0,85980 € | 429,90 € |
| 1.000 | 0,79261 € | 792,61 € |
| 2.000 | 0,73611 € | 1.472,22 € |
| 5.000 | 0,67501 € | 3.375,05 € |
| 10.000 | 0,65867 € | 6.586,70 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,41000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,91610 € |



