SIHA22N60E-E3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

SIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1.487
Stückpreis : 4,28000 €
Datenblatt

Ähnlich

IXKC15N60C5
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,77140 €
Datenblatt

Ähnlich

IXKC20N60C
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich

R6020ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 456
Stückpreis : 3,85000 €
Datenblatt

Ähnlich

R6020KNX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 247
Stückpreis : 3,32000 €
Datenblatt

Ähnlich

R6024ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,11000 €
Datenblatt

Ähnlich

R6024KNX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 291
Stückpreis : 3,07000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF24N60DM2
STMicroelectronics
Vorrätig: 761
Stückpreis : 3,48000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
Vorrätig: 1.006
Stückpreis : 3,14000 €
Datenblatt

Ähnlich

TSM60NE145CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 2.000
Stückpreis : 4,22000 €
Datenblatt

Ähnlich

TSM60NE180CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 2.000
Stückpreis : 3,90000 €
Datenblatt

Ähnlich

TSM60NE200CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 2.000
Stückpreis : 3,54000 €
Datenblatt

Ähnlich

TSM60NE285CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 2.000
Stückpreis : 3,53000 €
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
SIHA22N60EL-E3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHA22N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHA22N60E-E3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHA22N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHA22N60E-E3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
SIHA22
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,18000 €4,18 €
502,16280 €108,14 €
1001,96790 €196,79 €
5001,62684 €813,42 €
1.0001,51731 €1.517,31 €
2.0001,51148 €3.022,96 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:4,18000 €
Stückpreis mit MwSt.:5,05780 €