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SIHA22N60E-E3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHA22N60E-E3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHA22N60E-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHA22N60E-E3 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 86 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1920 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 35W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 voller Pack |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXKC15N60C5 | IXYS | 0 | IXKC15N60C5-ND | 2,72720 € | Ähnlich |
| IXKC20N60C | IXYS | 0 | 238-IXKC20N60C-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| R6020ENX | Rohm Semiconductor | 242 | R6020ENX-ND | 4,05000 € | Ähnlich |
| R6020KNX | Rohm Semiconductor | 196 | R6020KNX-ND | 3,49000 € | Ähnlich |
| R6024ENX | Rohm Semiconductor | 0 | R6024ENX-ND | 1,79182 € | Ähnlich |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,39000 € | 4,39 € |
| 50 | 2,27700 € | 113,85 € |
| 100 | 2,07210 € | 207,21 € |
| 500 | 1,71290 € | 856,45 € |
| 1.000 | 1,59759 € | 1.597,59 € |
| 2.000 | 1,50068 € | 3.001,36 € |
| 5.000 | 1,48733 € | 7.436,65 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,39000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,31190 € |
