Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.2108 EUR
Availability: InStock

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SIDR5802EP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR5802EP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIDR5802EP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3020 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 34,2A (Ta), 153A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIDR5802
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,9mOhm bei 20A, 10V