Name: SIA447DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA447DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8833 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIA447DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA447DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA447DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA447DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA447DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 12 A (Tc) 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA447DJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 850mV bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 80 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2880 pF @ 6 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 19W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SIA447
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,5mOhm bei 7A, 4,5V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 1.968

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)