Name: SI8821EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8821EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.6897 EUR
Availability: OutOfStock

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SI8821EDB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8821EDB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8821EDB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8821EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8821EDB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 1,6 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage 4-Microfoot
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI8821EDB-T2-E1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 440 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-Microfoot
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,6 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 4-XFBGA, CSPBGA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI8821
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 135mOhm bei 1A, 4,5V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)