Name: SI7997DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7997DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.872 EUR
Availability: InStock

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SI7997DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7997DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 60A 46W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7997DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Hersteller Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160nC bei 10V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6200pF bei 15V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 46W
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60A	Basis-Produktnummer SI7997
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,5mOhm bei 20A, 10V