Name: SI7465DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7465DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.0449 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7465DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7465DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7465DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7465DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7465DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	63 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 3,2 A (Ta) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 64mOhm bei 5A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,5W (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,2 A (Ta)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI7465