Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7061 EUR
Availability: InStock

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SI6562CDQ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI6562CDQ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 6,7 A, 6,1 A 1,6W, 1,7W Oberflächenmontage 8-TSSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI6562CDQ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 22mOhm bei 5,7A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 850pF bei 10V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Leistung - Max. 1,6W, 1,7W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N- und P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSSOP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,7 A, 6,1 A	Basis-Produktnummer SI6562